新型通孔硅衬底GaN基LED结构的电流扩展分析

摘要：

为了降低Si衬底GaN基LED的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二极管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

关键词： 通孔硅衬底 GaN基 发光二极管 LED结构 注入电流扩展

作者: 卫静婷 张佰君 王钢

作者单位: 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州市新港西路135号,510275 中山大学半导体照明系统研究中心,广州市大学城外环东路132号中山大学微纳楼,510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 176-179

在线出版日期: 2009-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）