IGBT死区补偿方法研究

摘要：

对三相桥式逆变器死区效应进行了理论分析,阐述了死区效应对逆变器输出电压的影响,并介绍了一种死区时间的加入方法,在此基础上提出了一种基于SVPWM控制的逆变器死区补偿方法——对称补偿法,有效改善了死区效应引起的电流畸变,实验结果证明了理论分析的正确性和该方法的可行性和有效性,并在变频器设计中得到了成功应用。

关键词： 绝缘栅双极晶体管 逆变器 死区效应 输出电压 对称补偿法 SVPWM控制

作者: 魏彦江 于泳 王高林

作者单位: 哈尔滨工业大学电气工程系,哈尔滨 150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年微特电机技术创新与发展论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 224-227

在线出版日期: 2009-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）