基于正向体效应技术的低压低功耗CMOS放大器设计

摘要：

首先介绍了集成电路设计中实现低压低功耗的重要性,然后介绍了正向体效应技术,并采用正向体效应技术降低MOS管阈值电压,设计了一种二级低压低功耗放大器。最后通过电路仿真,在0.8V低工作电压下获得直流开环增益为56.3dB,3dB带宽为20.4 kHz,相位裕度为520,其功耗为23.73μW。

关键词： 运算放大器 正向体效应技术 集成电路设计 阈值电压 电路仿真

作者: 李建峰 窦建华 潘敏 应隽

作者单位: 合肥工业大学计算机与信息学院,安徽合肥 230009

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第20届计算机技术与应用(CACIS)学术会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 1032-1034

在线出版日期: 2009-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）