激光剥离GaN LED外延膜的研究

摘要：

本文通过激光剥离技术,实现大面积GaN LED激光剥离,而且完整的保留了蓝宝石衬底,并且在剥离后的衬底上重新生长GaN基LED器件结构外延薄膜,并对其进行对比研究。

关键词： 激光剥离 发光二极管 外延薄膜

作者: 黄瑾 郑清洪 刘宝林

作者单位: 厦门大学物理系,福建厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国凝聚态光学性质学术研讨会(OPCM”2008)

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 31-32

在线出版日期: 2008-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）