Si纳米线的制备方法与器件应用

摘要：

Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一准半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍了Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长方法以及器件应用,并指出了该研究今后的发展方向。

关键词： 硅纳米线 制备工艺 半导体材料 生长机制 金属催化

作者: x.w.Zhao 彭英才 范志东 白振华

作者单位: Department of Physics,Tokyo Universit of Science,Tokyo,Japan 河北大学电子信息工程学院,保定 071002

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国凝聚态光学性质学术研讨会(OPCM”2008)

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 43-44

在线出版日期: 2008-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）