GaAs中自旋极化依赖的电子自旋相干和电子弛豫动力学研究
半导体中电子的自旋自由度以其在自旋电子器件以及量子计算等方面的潜在应用前景而日益引起人们的关注。目前,已经提出自旋晶体管模型和利用电子自旋量子位进行量子计算的设想。然而,这些应用都依赖于高的自旋极化和长寿命的相干弛豫的获得。本文利用飞秒时间分辨圆偏振光和线偏振光抽运探测光谱在9.6K的低温下研究了Voigt结构中本征体GaAs中电子自旋相干和电子弛豫动力学随电子能量的演化。
砷化镓 电子自旋相干 电子弛豫动力学 电子能量
滕利华 余华梁 文锦辉 林位株 赖天树
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程学院,广州 510275
国内会议
青岛
中文
87-88
2008-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）