脉冲功率技术中高速隔离型MOSFET驱动电路的研究

摘要：

随着半导体技术的发展,功率MOSFET因其体积小、重量轻、成本低和响应速度快而被越来越广泛地应用于脉冲功率源中。本文根据MOSFET的开关过程,分别从器件本身和驱动电路的两个方面,讨论了影响MOSFET开通时间的主要因素。在此基础上,提出了三种高速隔离型MOSFET驱动电路,给出了实验电路和参数。实验结果表明,MOSFET的开通时间均小于10ns。

关键词： 脉冲功率技术 驱动电路 场效应管 芯片设计

作者: 齐琛 陈希有

作者单位: 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年全国电工理论与新技术年会(CTATEE”09)

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 38-41

在线出版日期: 2009-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）