等离子体刻蚀工艺的光学干涉法终点检测

摘要：

光学干涉法是非侵入式等离子体诊断方法。刻蚀试验在高密度等离子体刻蚀机(ICP)上进行，提出了光学干涉法终点检测和预测理论模型。实验表明，氧化层和多晶硅层的光学属性可以影响干涉信号。文章讨论了终点算法和实时等离子体参数诊断技术，并描述了多晶硅刻蚀过程中的光学干涉法工艺控制。终点预测技术已经应用于在高密度等离子体刻蚀机中进行的多晶硅栅刻蚀工艺。

关键词： 光学干涉法 终点检测 工艺控制 等离子体刻蚀工艺

作者: 孙江宏 王巍 徐小力

作者单位: 北京信息科技大学机电工程学院,北京 100192 重庆邮电大学光电工程学院,重庆 400065

会议类型: 国内会议

会议名称: 第15届全国机械设计年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 130-131

在线出版日期: 2009-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）