双温区生长CdSe单晶及其红外表征

摘要：

硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长出Φ15×40mm，电阻率为107～108(Ω.cm)量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试结果显示：硒化镉单晶体完整性好，红外透过率大于62％，表明双温区具有较好的温度梯度，生长过程中能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比，用这种晶体制作的探测器，电荷收集效率较高，具有较好的能量分辨率。

关键词： 硒化镉 晶体生长 气相垂直提拉 红外透过测试 结构表征

作者: 叶林森 赵北君 朱世富 何知宇 任锐 王瑞林 钟雨航 温才 李佳伟

作者单位: 四川大学材料科学系，四川成都 610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国光电子与光电信息技术学术研讨会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 125-127

在线出版日期: 2006-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）