AIGaN太阳盲型紫外探测器

摘要：

在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au和Ti/AI／Ni／Au形成，器件的电学性质和光谱响应被研究.研究结果表明，Au与Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，其势垒高度为0.83eV，探测器的响应波长从250nm到290nm，峰值响应率约为0.081A／W。

关键词： 太阳盲区 肖特基 紫外探测器 异质结构 电学性质 光谱响应

作者: 李雪 何政 赵德刚 李向阳 龚海梅 方家熊

作者单位: 传感技术国家重点实验室，中国科学院上海技术物理所，上海 中国科学院北京半导体所，北京

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国光电子与光电信息技术学术研讨会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 603-605

在线出版日期: 2006-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）