碲锌镉探测器晶片退火新工艺

摘要：

本文报道了一种CZT探测器晶片退火的新装置和新工艺，该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同成分源退火研究。实验采用自行设计制作的装置在富Cd的同成分CZT粉末源包裹、在400℃下退火120h。晶片的电阻率、红外透过率等都有较大的提高和改善。XPS分析表明，CZT单晶片中的Te沉淀(Cd空位)主要以扩散的方式向晶体表面运动，晶体的均匀性得到改善。

关键词： 碲锌镉单晶片 电阻率 红外透射谱 探测器 晶片退火

作者: 高德友 赵北君 朱世富 唐世红 何知宇 陈俊 张建军 张冬敏 方军

作者单位: 四川大学材科科学系 610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国光电子与光电信息技术学术研讨会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 103-106

在线出版日期: 2006-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）