利用TG/DTA分析研究C-SiC-B4C复合材料的氧化机理

摘要：

对不同碳相含量于不同热压温度下制备的C-SiC-B4C复合材料在40～1 400℃的氧化过程进行了热重和差热联用(TG/DTA)分析，并研究了复合材料的氧化机理.结果表明：复合材料在40～1 400℃的氧化机理为化学反应控制到气体扩散控制再到化学反应控制.复合材料发生转变的温度以及在每个控制阶段的氧化行为都与其组成、热压温度和陶瓷相氧化产物在不同温度下的物性以及升温速率有关.

关键词： C-SiC-B4C复合材料 氧化过程 氧化机理 氧化控制

作者: 喻亮 茹红强 左良 薛向欣

作者单位: 东北大学 材料与冶金学院，辽宁 沈阳 110004

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国博士生学术论坛——冶金工程分论坛

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 183-186

在线出版日期: 2006-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）