纳米高阻隔SiO_z薄膜的等离子体制备
通过潘宁放电等离子体增强化学气相沉积技术(PDPs)，以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体，在载玻片、单晶硅片、PET等基材上沉积氧化硅薄膜。在薄膜的制备工艺中，通过改变放电气体的工作压强、放电功率、沉积时间和氧气和单体的比例来研究所制备二氧化硅薄膜的阻隔性能。通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)表征，分析沉积膜的化学结构成分；采用透湿、透氧测试仪测试薄膜的阻隔性能，探讨工艺参数的变化对薄膜表面的成分和阻隔性能影响。
阻隔包装 二氧化硅薄膜 阻隔性能 放电等离子体增强 化学气相沉积
孙运金 付亚波 陈强 葛袁静
北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室 等离子体物理以及材料研究室
国内会议
北京
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39-44
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）