两种取向结构AIN薄膜的场发射测试分析
近年来，由于AlN薄膜具有负的电子亲和势而可能具有良好的场发射特性，其相关研究引起了人们的关注。为改善薄膜结构场发射特性，可采用材料改性，如重掺杂方法，完善其能带结构，使得场隧穿电子能力增强。但人们很少关注内在材料原子结构排列方式对于场发射性能的影响。而纳米碳管被发现具有极为优异的场发射特性。本文研究了两种取向结构A1N薄膜场发射性能。发现取向性对于AIN薄膜场发射性能影响是非常关键的，对于具有(100)与(002)取向的AIN薄膜在目前测试系统中没有场发射电流出现，而对于仅有(002)取向AIN薄膜却具有较好的场发射特性。
AIN薄膜 取向结构 场发射测试 电子亲和势 材料改性 能带结构
王如志 王波 宋雪梅 严辉
北京工业大学 材料学院薄膜研究室，北京 100022
国内会议
广东珠海
中文
155-156
2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）