横向高压器件串联结构特性分析

摘要：

本文针对横向高压器件LDMOS和UGBT的串联结构特性以及其原理进行了分析和仿真．改进的结构在不影响LIGBT的正向导通特性的前提下，不仅有效抑制了寄生拴锁效应，而且改进了LIGBT的关断特性．通过器件仿真软件MEDICI对改进的器件结构和特性进行了仿真．

关键词： 横向高压器件 串联结构 正向导通 关断特性 寄生拴锁效应 LIGBT

作者: 葛一兵 姜岩峰

作者单位: 北方工业大学,北京 100041

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国青年通信学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 103-105

在线出版日期: 2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）