会议专题

横向高压器件串联结构特性分析

本文针对横向高压器件LDMOS和UGBT的串联结构特性以及其原理进行了分析和仿真.改进的结构在不影响LIGBT的正向导通特性的前提下,不仅有效抑制了寄生拴锁效应,而且改进了LIGBT的关断特性.通过器件仿真软件MEDICI对改进的器件结构和特性进行了仿真.

横向高压器件 串联结构 正向导通 关断特性 寄生拴锁效应 LIGBT

葛一兵 姜岩峰

北方工业大学,北京 100041

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第十四届全国青年通信学术会议

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2009-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)