基于深亚微米工艺的多米诺逻辑电路设计

摘要：

介绍一种全部由PMOS休眠管实现的双阈值电压多米诺逻辑电路．使用这种电路设计技术，可以同时减小多米诺逻辑电路中的亚阈值漏电流和栅氧化层漏电流，与带有NMOS休眠管的双阈值电压多米诺逻辑电路比较，可以改善电路性能和功耗．

关键词： 多米诺逻辑电路 亚阈值漏电流 栅氧化层漏电流 双阈值电压 深亚微米工艺

作者: 赵帆 姜岩峰

作者单位: 北方工业大学信息工程学院,微电子中心,北京 100041

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国青年通信学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 111-115

在线出版日期: 2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）