一种高性能CMOS带隙基准电压源设计

摘要：

本论文里介绍了一种基于CSMC1UM40V_CMOS高压工艺实现的基准电压源，该基准源除了具有低温度系数、高电源电压抑制比、较大的闭环相位裕度和低功耗等优点外，增加了上电复位功能，提高了瞬态响应速度，这样就可以在模数混合芯片中得到广泛的应用．并且进行了三种comers(tt、ss和ff)仿真，仿真结果验证了上述优点．

关键词： CMOS高压工艺 基准电压源 瞬态快速响应能力 温度系数 电源电压抑制比 模数混合芯片

作者: 贾有平 杨兵

作者单位: 北方工业大学信息工程学院,100144

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国青年通信学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 149-153

在线出版日期: 2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）