中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

摘要：

中子发生器主要由离子源，加速系统和靶等组成。当离子束轰击靶产生中子的同时，在靶面也产生二次电子，形成二次电子流，导致电源负荷加重，从而影响中子参数，因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流.本文简单讨论了中子发生器中二次电子流的产生机制，并讨论了几种抑制方法。模拟计算表明，在法拉第圆筒的基础上加上电场或磁场抑制，特别是电场抑制能很好地抑制二次电子流.

关键词： 中子发生器 二次电子流 电场抑制 磁场抑制 数值模拟

作者: 石磊 金大志

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所，四川，绵阳，621900 中国工程物理研究院电子工程研究所，四川，绵阳，621900 电子科技大学物理电子学院，四川，成都，610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年系统仿真技术及其应用学术会议(CCSSTA”2009)

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 225-228

在线出版日期: 2009-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）