La2O3掺杂对SnO2基陶瓷显微结构与电阻率的影响

摘要：

以La2O3作掺杂添加剂对SnO2基陶瓷进行掺杂，通过XRD、SEM以及其他测试手段对该SnO2基陶瓷进行测试。结果表明，在一定的掺杂范围内，La2O3的存在对SnO2基陶瓷电阻率的降低有明显作用，同时La2O3能够明显促进SnO2晶相的形成和生长，对SnO2基陶瓷的致密化也起到了良好的作用。

关键词： 二氧化锡基陶瓷 氧化镧掺杂 晶体生长 电阻率 显微结构

作者: 梅松柏 宁伟 汪庆卫 蒋守宏 沈玉君 姚健 林剑成

作者单位: 东华大学材料科学与工程学院,上海 200051 先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海 200051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009国际先进玻璃熔制技术研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 88-94

在线出版日期: 2009-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）