基于GaAsPIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片

摘要：

采用3英寸圆片GaAsPIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAsPIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点，工作频段25～40GHz，输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明，导通态下开关插损小于1.2dB，驻波优于1.5，关断态下隔离度大于20dB，驻波优于2.5。开关在导通态下1dB功率压缩点P-1大于1W。

关键词： 毫米波 GaAs PIN二极管 单刀单掷开关 开关单片 非反射设计

作者: 蒋东铭 陈新宇 蒋幼泉 黄子乾 冯欧

作者单位: 南京电子器件研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年全国微波毫米波会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 1004-1007

在线出版日期: 2009-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）