基于SiC器件的高效E类功率放大器

摘要：

本文基于SiCMESFET(SiliconCarbideMetal-SemiconductorFieldEffectsTransistors)设计实现了在L波段输出功率大于30W得高效率E类功率放大器。放大器的输入输出匹配网络采用微带传输线实现，利用ADS进行了仿真分析和优化，并给出了具体设计和实现过程。实际测量表明，该功率放大器在工作电压为35，输入功率为2.5W的情况下，最大输出功率可以达到32.5W，漏极效率达到64％，增益可以达到10dBm。

关键词： SiC器件 E类功率放大器 漏极效率 微带传输线

作者: 陈文华 王莉 冯正和 薛新 董佳兴

作者单位: 清华大学电子工程系,北京 100084 江南电子通信研究所,嘉兴314001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年全国微波毫米波会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 1008-1011

在线出版日期: 2009-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）