一种简单高效的SiCMESFET寄生参数提取新方法
(0) 本文提出了一种新的SiCMESFET寄生参数提取方法，所有寄生参数仅需一组单偏置COLDFET反向截止条件下的测量S参数便可提出。文章首先在频带低端（f<5GHz）推导出寄生PAD电容Cpg与Cpd满足的数学表达式，然后以此为限制条件，构造算法，利用全频带测量S参数，寻找出准确的寄生电容值，最后在频带高端（f>18GHz）提取出寄生电阻和电感参数。由于所需的测试数据少，测试方法简单，因此提取效率高。该方法应用于栅长和栅宽分别为1mμ和300mμ的SiCMESFET寄生参数提取，使用COLDFET反向截止条件下0.5GHz～20GHz测量S参数为提取依据，COLDFET反向截止条件下Y参数仿真结果与实测数据在0.5GHz～20GHz范围内吻合良好。
SiC MESFET 寄生参数提取 小信号建模 全频带测量 数学表达式
黄文 国云川 徐跃杭 徐锐敏
电子科技大学电子工程学院,成都 610054
国内会议
西安
中文
1122-1125
2009-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）