高性能S、C波段声表面波微波延迟线

摘要：

通过扇型结构换能器的优化设计和采用标准半导体平面工艺，研制出中心频率1.5～4.3GHz，工作带宽200～500MHz，时延0.05～3us的S、C波段声表面波（SAW）微波延迟线。该系列产品的插入损耗为-22dB～-60dB，三次渡越抑制为40dB～55dB，直通抑制为30dB～45dB，经试验验证，产品综合性能指标优于国内外应用于同类目的产品。

关键词： 微波延迟线 C波段 S波段 声表面波 插入损耗 直通抑制

作者: 宫俊杰 张宇行

作者单位: 中国科学院声学研究所，北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年全国微波毫米波会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 208-211

在线出版日期: 2009-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）