多孔硅电化学及表面表征

摘要：

本文根据n型硅片的阳极氧化行为选择不同的施加电位制备多孔硅,其表面键合物种通过红外和拉曼谱峰表征,SEM图观测硅片表面形貌。结果表明,PS形貌、孔径尺寸和表面物种与施加电位密切相关,PS表面主要为Si-H终止,其峰强度随电位增大而增强,孔径随施加电位增大而逐渐减小,表面粗糙度增大。

关键词： 多孔硅片 阳极氧化 硅片形貌 电位强度

作者: 吕京美 程璇

作者单位: 化学系,厦门 361005 材料科学与工程系,厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国博士生学术论坛——材料科学分论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 199-201

在线出版日期: 2006-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）