闪蒸法制备Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜的微结构及电阻率

摘要：

本文采用闪蒸法在加热到47 K的玻璃衬底上制备了厚度在80-320 nm的Bi0.5sb1.5Te3热电薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微术研究了薄膜的显微结构和表面形貌。结果表明，薄膜具有多晶特征,薄膜的电阻率与其厚度的倒数成线性关系,在300～350K的温度范围内对退火薄膜的电阻率进行了研究,薄膜的电阻率与温度成线性关系,这表明了薄膜的半导体特性。

关键词： 氧化铋薄膜 薄膜制备 薄膜结构 薄膜电阻率

作者: 段兴凯 杨君友

作者单位: 华中科技大学材料加工与模具技术国家重点实验室,武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国博士生学术论坛——材料科学分论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 253-255

在线出版日期: 2006-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）