淀积后退火对HfOzNy薄膜光学特性的影响

摘要：

本文通过射频反应磁控溅射法获得了HfOxNy栅介电薄膜,利用椭圆偏振法(SE)测量了光子能量在0.75-6.5eV范围内不同退火温度下HfOxNy薄膜的椭偏参数谱图。结果表明，退火温度对薄膜的光学特性有很大影响,折射率和消光系数随退火温度的增加分别增加和降低。文章同时对禁带宽度Eg随退火温度的变化进行了讨论,同时利用X射线光电子谱(XPS)还得到了退火温度对薄膜化学组分的影响。

关键词： 介电薄膜 薄膜结构 薄膜光学 磁控溅射

作者: 刘毛 方起 张立德

作者单位: 中国科学院固体物理研究所安徽省纳米材料与技术重点实验室,合肥 230031 中国科学院固体物理研究所安徽省纳米材料与技术重点实验室,合肥 230031 英国帝国理工大学 伦敦

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国博士生学术论坛——材料科学分论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 283-285

在线出版日期: 2006-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）