纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储
利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵列双势垒纳米结构SiO2/nc-Si/SiO2。通过测量Raman散射谱证实了晶态的Si量子点的形成;利用C-V研究这种含有nc-Si量子点的双势垒结构中的电荷存储效应并用能带图和F-N(Fowler-Nordheim)隧穿机制分析电荷存储的机理。
纳米硅 双势垒 电荷存储 等离子体 隧穿势垒 隧穿机制 单晶薄膜
吴良才 陈坤基 宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术中心,上海市长宁路865号,200050 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京市汉12路22号,210093 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京市汉12路22号,210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术中心,上海市长宁路865号,200050
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2006-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）