掺杂Si的Ge2Sb2Te5相变薄膜的性能研究

摘要：

采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向六方晶相转变的温度。掺杂Si可显著提高薄膜的晶态电阻率。当Si掺杂浓度为11.8at.％时,460℃退火后薄膜的晶态电阻率从1增加到11mΩ.cm。I-y特性显示,掺杂Si增加了器件的动态电阻,这有利于降低相变存储器的写电流。

关键词： 晶态电阻率 相变存储器 相变薄膜 薄膜性能 晶化温度 晶相转变

作者: 乔保卫 冯洁 赖云锋 凌云 林殷茵 汤庭鳌 蔡炳初 陈邦明

作者单位: 上海交通大学微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室 复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海 200433 Silicon Storage Technology,Inc．,1171 Sonora Court,Sunnyvale,CA94086,USA

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 57-64

在线出版日期: 2006-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）