CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究
低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控制工艺,在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化,并对其进行纯化研究。SEM结果表明:硅酸加料速度为影响粒径均匀的关键因素,适当加料速度下可以制得30～100nm范围内均匀分散的不同粒径的胶体二氧化硅研磨料。金属离子含量测试结果表明:通过离子交换纯化工艺可将胶体二氧化硅研磨料的金属离子含量降低至64.72ppm,低于国内外同类产品,为其在抛光液和CMP工艺应用提供了可能。
胶体二氧化硅 研磨料 抛光效率 水玻璃 离子交换 分水控制 粒径生长 纳米磨料
张楷亮 王良咏 宋志棠 封松林
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,半导体功能薄膜材料工程技术研究中心,上海 200050
国内会议
上海
中文
152-159
2006-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）