新型透明氧化物半导体薄膜In2O3:W的开发研究

摘要：

采用直流磁控溅射法成功制备了掺钨氧化铟(IWO)高价态差透明氧化物半导体薄膜。初步研究表明薄膜结晶取向与薄膜的厚度有关,随着膜厚从60nm增加到290nm,最强衍射峰从(111)晶面转变为(100)晶面;考察了薄膜厚度及其颗粒度对薄膜光电特性的影响。得到IWO薄膜的最佳电阻率为2.7×10(-4)ohm-cm,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80％;载流子迁移率高达49 cm 2V(-1)s(-1)。结果表明掺钨氧化铟薄膜是一种具有潜在应用价值的新型TCO材料。

关键词： 掺钨氧化铟 载流子迁移率 半导体薄膜 直流磁控溅射法 光电特性

作者: 李喜峰 张群 缪维娜 黄丽 章壮健 华中一

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海 200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 23-30

在线出版日期: 2006-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）