TiNi催化生长碳纳米管薄膜及其场发射性能研究
本文采用磁控共溅射法在Si单晶衬底上制备TiNi合金薄膜,通过控制Ni靶的溅射功率来调节TiNi合金的组分比。采用低压热化学气相沉积(CVD)在TiNi合金薄膜上催化生长碳纳米管薄膜。系统地研究了TiNi的合金组分对于碳纳米管薄膜生长和场发射性能的影响。实验结果表明,随着Ni靶功率的增加,碳纳米管薄膜的厚度逐渐增加,密度由稀疏逐渐变为密集。当Ni的溅射功率为100W时,碳纳米管薄膜表面的形貌非常奇特,形成碳纳米管的“沙丘”,其场发射性能在此时也最为优异,在约1.85V/μm的电场下,场发射电流密度即达1mA/cm2。 文中对这一现象进行了解释。
碳纳米管 化学气相沉积 场发射性能 纳米薄膜 磁控共溅射法 合金薄膜
陈婷 孙卓 陈奕卫 王莉莉
华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心,上海 200062
国内会议
上海
中文
204-207
2006-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）