聚二烯丙基二甲基氯化铵-丙烯酰胺插层蒙脱土的研究
通过调节氧化还原体系引发剂亚硫酸氢钠和过硫酸铵的用量,制备了系列数均分子量分为-5500、-6000、-8500和-20000的聚二烯丙基二甲基氰化铵-丙烯酰胺；对聚合物进行纯化处理后,采用提纯聚合物、未提纯聚合物和质子化后的提纯聚合物进行直接插层钠基蒙脱土,选用数均分子量为～6000提纯聚合物进行了不同用量聚合物插层钠基蒙脱土的研究。XRD结果表明：本实验条件下制备的提纯聚合物能够顺利进行蒙脱土插层,聚合物中未反应单体的存在不利于聚合物大分子插层蒙脱土：对聚合物进行质子化处理后,对聚合物插层蒙脱土无明显影响。提纯PDM-AM聚合物(～6000Mn)改性蒙脱土的层间距随聚合物用量的增加而增加；当聚合物用量为1.4 CEC时,聚合物改性蒙脱土XRD谱图中衍射峰宽化。
聚二烯丙基二甲基氯化铵 丙烯酰胺 聚合物 插层蒙脱土
高党鸽 马建中 董雷 李运 吕斌
陕西科技大学资源与环境学院,西安 712021
国内会议
西安
中文
31-38
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）