SOI LDMOS功率晶体管自加热分析

摘要：

SOI LDMOS功率晶体管中的自加热效应是沟道中电流产生的热量导致器件特性漂移的现象；其产生的机理主要是热传导率相对较低的埋氧层存在,导致产生的热量无法耗散。阐述了在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。模拟表明,采用图形化SOI(PSOI)结构可以有效的减弱自加热效应(最高温度降低约10％)。

关键词： 自加热效应 工艺参数 热传导率 功率晶体管

作者: 李家贵 李德昌

作者单位: 西安电子科技大学 技术物理学院,陕西 西安 710071 西安电子科技大学 理学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国纳米科技(西安)研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 342-346

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）