碳纳米墙制备工艺研究

摘要：

本论文用射频等离子体增强化学气相淀积法,成功制备出碳纳米墙。以甲烷为碳源,氢气为辅助气体,通过生长气源组份、等离子体功率、反应气压以及生长时间等多个工艺参数的大量正交实验,总结出生长碳纳米墙的工艺条件。对制备出的样品进行了SEM和化学组份的分析,生长的碳纳米墙厚度小于10纳米,平面尺度在微米,具有直立于衬底的特征。TEM分析结果表明所生长的碳纳米墙具有大量褶皱,且通过裙皱可以看见明显的石墨层状结构。

关键词： 射频等离子增强 化学气相淀积 正交实验 扫瞄电子显微镜 透射电子显微镜 碳纳米墙

作者: 党涛 刘卫华 朱长纯

作者单位: 西安交通大学电子与信息工程学院,陕西 西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国纳米科技(西安)研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 352-355

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）