硫化温度对SnzSy薄膜的结构和光学性能的影响

摘要：

用热蒸发法技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,将其在真空条件下、在150～300℃温度下硫化45分钟。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和光电性能研究,结果表明：在不同温度下硫化所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异。并且,随着硫化温度的升高,薄膜的直接能带间隙在增大。当硫化温度为240℃时,所制备的薄膜最理想,为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46 eV。

关键词： 薄膜 硫化温度 光学性能 物相结构

作者: 程树英 彭少朋

作者单位: 福州大学物理与信息工程学院,福建 福州,350108

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国纳米科技(西安)研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 171-177

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）