基于UDM的纳米交叉结构器件伏安特性曲线模拟方法

摘要：

本文通过对UDM模型原理的分析,提出了对于纳米交叉器件适合的拟合精度高,拟合公式相对比较简单的方法,并讨论了各种因素对拟合结果产生的影响。该方法能够有效地模拟纳米交叉结构的双稳态磁滞型伏安特性曲线。

关键词： 纳米结构 伏安特性曲线 参数提取 纳米交叉器件

作者: 张玉彬 邓明堂 朱玄 易勋 唐玉华

作者单位: 计算机学院,国防科技大学,长沙,湖南 410073,中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国纳米科技(西安)研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 283-288

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）