SiGe合金单晶生长及性能研究

摘要：

在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺参数,拉制出了Ge浓度为(9.79～12.92)wt％(重量比)、直径(50～60)mm的高浓度SiGe单晶,并对拉制出的SiGe单晶的Ge浓度、位错密度及生长界面情况进行了测试和分析。

关键词： 锗硅合金 单晶生长 锗浓度 位错密度 氩气流动

作者: 刘锋 毛陆虹 韩焕鹏 王义猛 李丹 何秀坤

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220 天津大学电子信息工程学院,天津 300072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 497-500

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）