锗硅衬底离子注入模拟研究

摘要：

运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的Si1-xGex衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge的组分的变化对于Si1-xGex衬底离子注入的影响。

关键词： 锗硅衬底 离子注入模拟 分子动力学 SIMS数据

作者: 李强 乔颖 杨杰 于民 王金延 黄如 张兴

作者单位: 北京大学微电子学研究院,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 501-504

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）