6H-SiC上SiCGe薄膜的光致发光研究
对用热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC衬底上外延生长的SiCGe单晶薄膜进行了变温光致发光(PL)测试,测试温度从13K到300K。发现PL峰的强度随着激光辐照过程的持续而升高,并伴随有谱带的展宽和峰位的变化。在13K到150K的温度范围内,PL谱呈现双峰特征,两个峰分别位于470和630nm处,随着测试温度的升高,位于630tim处的PL峰逐渐增强,而位于470 nm处的PL峰则逐渐减弱。当测试温度提高到150K以上时,500 nin处出现新的PL峰且随着温度的升高逐渐增强,630nm则相应减弱。
单晶薄膜 碳化硅衬底 异质结 光致发光 热壁化学气相沉积法
李连碧 陈治明 林涛 李佳 周泱泱 王建农
两安理工大学电子工程系,西安 710048 香港科技大学物理系
国内会议
广州
中文
505-508
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）