宽禁带半导体研究现状与发展趋势 (邀请报告)

摘要：

宽禁带半导体材料-SiC和GaN具有禁带宽度大,热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景。文章综述了SiC和GaN的材料特性、SiC和GaN材料与器件的发展历程、国际发展现状及产品状况、国内研究现状以及可能的未来发展趋势与对策。

关键词： 氮化镓材料 碳化硅材料 宽禁带半导体材料 临界击穿电场 半导体器件 热导率

作者: 蔡树军 冯震 敦少博 陈昊 冯志红 王勇 张志国

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 509-512

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）