S波段SiC MESFET微波功率MMIC
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8-3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32v时带内脉冲输出功率超过5w。SiC MMIC小信号特性达到了设计的预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。进一步的优化工作正在进行中。
碳化硅外延材料 微波功率器件 无源器件
柏松 蒋幼泉 陈辰 陈刚 冯忠 钱峰 陈征 吴鹏 任春江 李哲洋 郑惟彬
单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京 210016
国内会议
广州
中文
524-527
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）