在碳化硅衬底上制备Si/SiC异质结
本文介绍用HWCVD系统在n型6H-SiC(0001)衬底上制备Si/SiC pn异质结的工作,p-Si外延层以B2H6作为掺杂源,衬底温度在700-950℃范围内优化,X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)测试表明在850-900℃的温度范围内外延的Si薄膜具有良好的单晶特征,X射线摇摆曲线峰形对称性很好,半峰全宽(FWHM)=0.4339 °Omega。实验表明,外延层中较高密度的堆垛层错和孪晶等生长缺陷与Si和SiC的热膨胀系数差异和晶格失配有关。生长温度在影响外延层晶体结构和表面形貌方面起着非常重要的作用。光电测试表明,Si/SiC pn异质结具有明显的整流特性和光伏效应。
碳化硅衬底 碳化硅异质结 HWCVD系统 硅外延层 X射线衍射 透射电子显微镜 晶格失配
朱峰 陈治明 李连碧 林涛 赵顺锋
西安理工大学,电子工程系,西安 710048
国内会议
广州
中文
537-540
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）