4H-SiC同质外延层的表征
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样品进行了测试分析,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。外延层10×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm:室温下,样品的浓度为1×1015 cm-3 时,霍尔迁移率高达987cm2/V·s；在浓度为1.5×1016 cm-3时,霍尔迁移率为821cm2/V·s。77K时,霍耳移率分别为1.82×104cm2/V·s和1.29×104 cm2/V·s。其中浓度的汞探针C-V测试结果与霍尔效应得试验数据吻合很好。
4H碳化硅 同质外延生长 X射线双晶衍射 原子力显微镜 霍尔效应
李佳 齐国虎 陈昊 霍玉柱 吕云安 冯志红 冯震 蔡树军
专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051
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541-544
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）