稀磁半导体TiMnO2(Mn:TiO2)分子束外延生长和磁学性质

摘要：

本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+离了与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷的Mn:TiO2薄膜不同的是,具有盘了的结晶质量的Mn:TiO2薄膜没有磁性。得出结论,室温稀磁性质与材料的结构缺陷具有很大的联系。

关键词： 稀磁半导体 二氧化钛薄膜 分子束外延 室温铁磁性 锰掺杂 晶体结构

作者: 李树玮 李新宇 吴曙翔 许灵敏 刘雅晶 邢祥军

作者单位: 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 575-578

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）