II型CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的制备和发光特性
我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在略微的波长红移,其辐射寿命没有明显的改变。根据II型和I型的特征,2.0和3.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶分别被认为足II型和I型核壳纳米晶。
半导体纳米晶 量子点 光致发光 荧光寿命 化学法合成
曾庆辉 景鹏涛 石爱民 张友林 孔祥贵 赵家龙
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春 130033 大连交通大学理学院,大连 116028
国内会议
广州
中文
579-582
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）