PbTe/Pb1-zSrzTe多量子阱中红外发光二极管的研究

摘要：

为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右。工作电流1.6mA。正向耐压特性表明二极管可承受注70mA的电流注入,表明二极管具有很好的正向开启电压和反向截止电压。

关键词： 量子阱 发光二极管 红外激光器 IV-VI族半导体 分子束外延生长

作者: 斯剑霄 吴惠桢 翁斌斌 何展 蔡春锋

作者单位: 浙江大学物理系固体光电子材料物理与器件实验室,浙江杭州 310027 浙江师范大学数理与信息工程学院,浙江金华 321004 浙江大学物理系固体光电子材料物理与器件实验室,浙江杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 587-590

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）