非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质

摘要：

我们采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨x射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明:在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要贡献的Mn3Ga相,快速退火过程可以有效的恢复离子注入过程对样品的损伤,所得非极性GaN:Mn退火样品具有室温铁磁特性。

关键词： 稀磁半导体 氮化镓薄膜 离子注入 室温铁磁性 铁磁性质 z射线衍射

作者: 孙莉莉 闫发旺 张会肖 王军喜 曾一平 王国宏 李晋闽

作者单位: 中科院半导体研究所半导体照明研发中心,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 599-601

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）