自支撑GaN厚膜的制备及其光学性能的研究

摘要：

采用金属Ti插入层在氧化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。金属Ti插入层有助于晶体质量的提高,X射线衍射测量发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽只有260 arcsec。扫描电子显微镜测量显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.最后研究了样品在低温下的荧光特性,证明了得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。

关键词： 氮化镓厚膜 氢化物气相外延 自支撑厚膜 光学性能 金属Ti插入层 位错密度

作者: 胡强 魏同波 段瑞飞 羊建坤 霍自强 曾一平

作者单位: 四川大学物理学院,成都 610064 中科院半导体研究所,北京 100083 中科院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 602-605

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）