AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

摘要：

对用化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽约300-700 nm,长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和”11-22”面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。

关键词： 氮化镓异质结 化学气相沉积法 蓝宝石衬底 紫外光发光二极管 位错滑移 带状缺陷 发光性能

作者: 闫鹏飞 隋曼龄

作者单位: 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳 110016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 606-609

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）