Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
稀磁半导体由于具有电子自旋输运和存储特性而倍受瞩目。近年来,稀磁半导体的III-V族氮化物研究取得了很大的进展。本文利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明。少量的锰在样品表面起到活性作用。X射线衍射和拉曼散射研究表明,当Mn的浓度很低(<2.7％)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的浓度达到3.9％时观察到了第二相。采用光学测试得到了由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生一个很宽的发射和吸收谱。
化学气相沉积法 稀磁半导体材料 锰掺杂 X射线衍射 杂质能级
谢自力 宋黎红 崔影超 韩平 施毅 郑有炓 张荣 崔旭高 陶志阔 修向前 刘斌 李弋 傅德颐 张曾
南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京 210093
国内会议
广州
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621-625
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）